evanli0807 发布于 2007-6-14 14:51:01
IC设计基础知识 IC从生产目的上可以分成为通用IC(如CPU,DRAM,接口芯片等)和ASIC(Application Specific Integreted Circuit)两种,ASIC是因应专门用途而生产的IC。 fRwr}n' y,6KU$G 从结构可以分成数字IC,模拟IC,数模混合IC三种,而SOC(system on chip)则成为发展的方向。 xxG>Leml 94?/Rhs5 从实现方式上讲可以分为三种: BnG{) \s #dFE}!"#` 基于晶体管级,所有器件和互连版图都采用人工的称为全定制(full-custom)设计,这种方法比较适合于大批量生产的,要求集成度高、速度快、面积小、功耗低的通用型IC或是ASIC。 ,nWZJ&B wsj5;(f+ 基于门阵(Gate-Array)和标准单元(Standard-Cell)的半定制设计(Semi-custom)由于其成本低、周期短、芯片利用率低而适合于批量小、要求推出速度快的芯片 。 %htbEKWR ^AT#A<{1( 基于IC生产厂家已经封装好的PLD(Programmable Logical Design)芯片的设计,因为其易用性、“可重写性”受到对集成电路工艺不太了解的系统集成用户的欢迎。他的最大特点就是只须懂得硬件描述语言就可以使用特殊EDA工具“写入”芯片功能。但PLD集成度低、速度慢、芯片利用率低的缺点使他只适合新产品的试制和小批量生产。近年来PLD中发展最活跃的当属FPGA(Field Programmable Gate Array)器件. E6xWo)`%5s nz`"f, 从采用的工艺可以分成双极型(bipolar),MOS和其他的特殊工艺。硅(Si)基半导体工艺中的双极型器件由于功耗大、集成度相对低,在近年随亚微米深亚微米工艺的的迅速发展,在速度上对MOS管已不具优势,因而很快被集成度高,功耗低、抗干扰能力强的MOS管所替代。MOS又可分为NMOS、PMOS和CMOS三种;其中CMOS工艺发展已经十分成熟,占据IC市场的绝大部分份额。AsGa器件因为其在高频领域(可以在0.35um下很轻松做到10GHz)如微波IC中的广泛应用,其特殊的工艺也得到了深入研究。而应用于视频采集领域的CCD传感器虽然也使用IC一样的平面工艺,但其实现和标准半导体工艺有很大不同。 nVk]Qe u &{|f 从设计方法可以分成自顶而下(Top-Down)和自底而上两种方法,根据不同的项目要求,根据项目经费和可供利用的EDA工具和人力资源,根据代工厂的工艺实际,采用不同的实现方法是很重要的决策。
evanli0807 发布于 2007-6-14 14:53:22
 IC基础知识介绍 我们通常所说的“芯片”是指集成电路,它是微电子技术的主要产品.所谓微电子是相对"强电"、"弱电"等概念而言,指它处理的电子信号极其微小.它是现代信息技术的基础,我们通常所接触的电子产品,包括通讯、电脑、智能化系统、自动控制、空间技术、电台、电视等等都是在微电子技术的基础上发展起来的。 我国的信息通讯、电子终端设备产品这些年来有长足发展,但以加工装配、组装工艺、应用工程见长,产品的核心技术自主开发的较少,这里所说的"核心技术"主要就是微电子技术.就好像我们盖房子的水平已经不错了,但是,盖房子所用的砖瓦还不能生产.要命的是,"砖瓦"还很贵.一般来说,"芯片"成本最能影响整机的成本。 微电子技术涉及的行业很多,包括化工、光电技术、半导体材料、精密设备制造、软件等,其中又以集成电路技术为核心,包括集成电路的设计、制造。 集成电路(IC)常用基本概念有: 晶圆,多指单晶硅圆片,由普通硅沙拉制提炼而成,是最常用的半导体材料,按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格,近来发展出12英寸甚至更大规格.晶圆越大,同一圆片上可生产的IC就多,可降低成本;但要求材料技术和生产技术更高。 前、后工序:IC制造过程中, 晶圆光刻的工艺(即所谓流片),被称为前工序,这是IC制造的最要害技术;晶圆流片后,其切割、封装等工序被称为后工序。 光刻:IC生产的主要工艺手段,指用光技术在晶圆上刻蚀电路。 线宽:4微米/1微米/0.6微未/0.35微米/035微米等,是指IC生产工艺可达到的最小导线宽度,是IC工艺先进水平的主要指标.线宽越小,集成度就高,在同一面积上就集成更多电路单元。 封装:指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连接。 存储器:专门用于保存数据信息的IC。 逻辑电路:以二进制为原理的数字电路。 zjh19831011 发布于 2007-6-14 15:03:08
 看看 lkda152251 发布于 2007-6-15 10:38:20
 介绍的不差吗,值得一看 |