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  MOSFET和IGBT焊接用高压器件
出处:嵌入式技术网 时间: 2007-11-15

MOSFETs 和IGBTs 使用在焊接设备的功率因数校正和逆变器级。已经开发了很多用于功率因数校正的系列器件,很快用于逆变器级的器件的功率范围将变得很完整。开发的重点是800V和900V范围内,具有快速恢复体漏电二极管的器件。许多产品的封装形式是ISOTOP,适用于大多数焊接应用。其大电流和绝缘能力改进了热性能,使得操作更安全。

 http://www.stmicroelectronics.com.cn/prodpres/discrete/powmosft/mosweld.htm

 



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