瑞萨科技公司近日宣布开发出R1FV04G13R和R1FV04G14R两款4千兆位(Gbit) AG-AND型闪存存储器。新产品的典型应用包括高端数码相机和硅器件电影设备中的大容量存储介质；在使用高速接口如USB2.0的移动终端中，可作为大容量存储介质；需要几千兆字节存储容量的硅器件音频设备；以及硅器件便携式阅读器、数字电视广播用图像回放设备等。

　　作为实现了多级单元技术和高速度的第二阶段AG-AND型闪存存储器，R1FV04G13R和R1FV04G14R存储器在4千兆位容量下，也能达到10Mbps的快速编程速度，复制一个2小时的MPEG-4格式的电影，大约只需要2分钟。

　　据介绍，由于使用90nm工艺和改进的AG-AND闪存存储器单元设计，瑞萨通过这两款存储器件实现了世界上最小的0.016μm2存储单元面积。与1千兆位AG-AND型闪存存储器相比，每千兆位的芯片面积大约缩小了三分之二。

　　使用R1FV04G13R和R1FV04G14R，可以在单个芯片上配置512M字节的记录介质，提供的存储能力大约相当于160分钟的MPEG-4电影数据，大约等同于130个磁道的MP3音乐数据，或大约500张4兆象素的数码相机相片。

　　R1FV04G13R和R1FV04G14R存储器使用热电子注入编程方法，以及在单个芯片内同时进行4组编程操作，通过使用多级单元技术，实现10Mbps的编程速度。它们还支持加电读出功能，在系统加电时，不需要输入命令或地址，即可通过控制两个控制线(/CE 针和/RE针)来读出多达2K字节的数据。另外，这两款新器件在编程操作过程中具有高速缓冲存储器编程功能，在擦除操作过程中，具有可编程数据输入功能。

　　在命令级，R1FV04G13R和R1FV04G14R与NAND型闪存存储器兼容。其电源电压是3.3V，采用48针TSOP 1型封装，与1千兆位AG-AND型闪存存储器的封装尺寸相同。

　　从2004年10月起，用户可以购买功能描述模型和C语言参考库，作为使用这些闪存存储器进行系统设计的支持工具。瑞萨公司现已从日本开始上述两款的样品发货，随后在12月将开始批量生产。8位配置的R1FV04G13R和16位配置的R1FV04G14R的样品价格均为12,000日圆(仅供参考)。