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  美国Ramtron公司推出1Mb铁电存储器
出处:广东电子商贸网 时间: 2007-11-20

近日,美国Ramtron公司宣布,其1Mb铁电存储器产品FM20L08正式推出,该存储器芯片的结构容量为128K*8字节,操作电压为2.7V-3.5V,并具有无限次的擦写次数,内存访问时间55ns,动态工作电流15mA,静态工作电流10 μA,FM20L08提供了SOIC和PDIP两种封装形式,并具有-40°C to +85°C工业级温度使用范围,管脚排列与128KB SRAM完全兼容,此产品的发布,标明Ramtron公司大容量铁电存储器产品的应用已经拉开帷幕,必将提供用户更大的选择空间与应用便利。Ramtron公司作为全球唯一的铁电存储器专利技术持有人,持续加大对铁电存储器(FRAM)应用技术的研究与开发,已经成功地向市场推出了4Kb-256Kb铁电存储器产品,并有多种接口类型可供选择,包括IIC、SPI、Parallel,这些产品现已成功应用于水表、电表、气表、汽车行驶记录仪等产品。铁电存储器作为一种新型的非易失性存储器,具备了SRAM与FLASH的应用特性,具有广泛的应用前景。

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