三星电子公司研究人员日前表示将于12月11到13日在旧金山举行的国际电子器件大会（IEDM）上探讨基于聚合物材料的阻性存储器开发进展。预计研究人员将汇报他们开发的阻性和导电聚合物(分别是聚酰亚胺polyimide和PCBM复合成的薄膜，及利用这种材料作为4F2交叉结构非易失存储器的储存介质。

       阻性RAM(RRAM)开发通常基于电脉冲来改变穿过简单二进位金属氧化物或更复杂钙钛矿氧化物薄膜的阻抗。因承诺高密度低成本低功耗及非易失性，它已成为几家器件制造商和一些初创公司的研究重点。其具有通用存储器的典型曲线，能够综合SRAM的速度和DRAM的密度及闪存的非易失性。三星将展示阻性存储器不仅能用聚合物材料制成，而且还能在低温下加工。这使聚合物存储器阵列在常规硅电路上特征化成为可能。

       RRAM非易失性存储器可能在今年推出测试产品。